Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均勻性 |
±5% |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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樣品臺 |
直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 搭配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 有效針對所需區域進行蝕刻, 并避免印刷電路板全面性蝕刻產生的導線暴露于空氣中發生的短路異常現象.
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