某芯片設計機構研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規格:
真空腔 1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源 ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角 0 Degree～± 90 Degree
極限真空 ≦1x10-4 Pa
刻蝕性能 一致性: ≤±5% across 4”
該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數：
離子源型號 離子源 KDC 75
Discharge DC 熱離子
離子束流 >250 mA
離子動能 100-1200 V
柵極直徑 7.5 cm Φ
離子束 聚焦, 平行, 散射
流量 2-15 sccm
通氣 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力 < 0.5m Torr
長度 20.1 cm
直徑 14 cm
中和器 燈絲
無論對于工藝設計, 還是生產控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結構（Passivation, metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續實驗, 清楚呈現出每一層電路布線結構.
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!
伯東 Pfeiffer 質譜分析儀與化學吸附儀聯用
伯東 Pfeiffer 質譜分析儀 ThermoStar 與耐馳熱重儀(TGA)聯用
回到列表
