Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:
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基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
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樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
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離子源 |
16cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數：
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離子源型號 |
離子源 KDC 160 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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中和器 |
燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
試驗利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發現 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后完全轉為 n 型, 且由兩個不同電學特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.
通過分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統的n型碲鎘汞材料一致.
不同厚度下的霍爾參數表明體電子層的電學性質均勻.
另外,通過計算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個數量級.
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