納米銀粉-納米單質(zhì)粉體

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技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品歸類	型號(hào)	平均粒徑（nm）	純度（%）	比表面積（m2/g）	體積密度（g/cm3）	晶型	顏色
納米級(jí)	CW-Ag-001	20	>99.9	42.0	0.5	球形	灰黑色
亞微米級(jí)	CW-Ag-002	400	>99.9	24.9	1.58	球形	灰白色
加工定制	根據(jù)客戶需求適當(dāng)調(diào)整產(chǎn)品純度及粒度

主要特點(diǎn)

1銀粉末低松比、流動(dòng)性好；

2銀粉末導(dǎo)電層表面平整，導(dǎo)電性好；

3高性能導(dǎo)電填充材料，具有良好的抗氧化性．應(yīng)用于電子漿料、電子產(chǎn)品的導(dǎo)電、電磁屏蔽、抗菌殺毒。
應(yīng)用領(lǐng)域

1薄膜、超細(xì)纖維；

2 ABS、PC、PVC等塑料基材；

3抗菌、抑菌劑；

4用做高溫?zé)Y(jié)型導(dǎo)電銀漿和低溫聚合物導(dǎo)電銀漿；

5超細(xì)銀粉：平均粒徑0.4微米，該系列銀微粉主要適用于高溫?zé)Y(jié)型導(dǎo)體漿料的導(dǎo)電填料，通過該系列銀粉組合可實(shí)現(xiàn)不同目標(biāo)的燒結(jié)結(jié)同時(shí)也可用于催化劑、抗菌材料等特殊用途；6銀粉主要用于導(dǎo)電涂料、導(dǎo)電油墨、聚合物導(dǎo)電銀漿的導(dǎo)電填料；是高性能導(dǎo)電填充材料，具有良好的抗氧化性．應(yīng)用于電子漿料、電子產(chǎn)品的導(dǎo)電、電磁屏蔽、抗菌殺毒。

納米銀粉電鏡圖譜

上海超威納米科技有限公司——納米銀粉SEM電鏡圖

納米銀粉粒度分布圖

上海超威納米科技有限公司——納米銀粉粒度分布圖

技術(shù)支持

提供納米銀粉產(chǎn)品在薄膜、抗菌、抑菌劑上面的應(yīng)用技術(shù)支持，具體應(yīng)用咨詢請(qǐng)與銷售部人員聯(lián)系。

包裝儲(chǔ)存

本品為惰氣防靜電包裝，應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(zhǎng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果。

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碳納米管商用技術(shù)取得重大突破

來源：中國(guó)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào)

　 IBM的研究人員近期宣布，已經(jīng)攻克了碳納米管生產(chǎn)中的一個(gè)主要挑戰(zhàn)，這將有助于生產(chǎn)出具有商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的碳納米管設(shè)備。

　　過去幾十年，半導(dǎo)體行業(yè)嘗試向單塊計(jì)算機(jī)芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強(qiáng)芯片的性能。不過，這一發(fā)展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借“重要的工程突破”，碳納米管晶體管替代硅晶體管未來將成為現(xiàn)實(shí)。

　　碳納米管有著良好的電特性和熱特性，從理論上來說可以成為電路的基礎(chǔ)，并帶來更快的速度和更好的能效。不過，生產(chǎn)基于碳納米管晶體管的商用設(shè)備面臨著制造方面的多重挑戰(zhàn)。此次，IBM的研究人員解決了其中一項(xiàng)挑戰(zhàn)：如何將碳納米管與金屬觸點(diǎn)進(jìn)行連接。

　　IBM的研究人員改變了1個(gè)碳納米管和2個(gè)金屬觸點(diǎn)之間的界面。在制造碳納米管晶體管時(shí)，傳統(tǒng)做法是在碳納米管上進(jìn)行金屬觸點(diǎn)沉積。而目前，IBM的研究人員將金屬觸點(diǎn)置于碳納米管的底部，通過反應(yīng)形成不同的化合物。通過這種方式，IBM的研究人員證明，尺寸小于10納米的金屬觸點(diǎn)不會(huì)影響碳納米管的性能。（目前，硅芯片的頂級(jí)制造工藝為14納米。）

　　IBM納米管項(xiàng)目研究負(fù)責(zé)人威爾弗雷德·哈恩什表示，新方法的成功意味著，向碳納米管晶體管的電流傳送將不再取決于金屬觸點(diǎn)的長(zhǎng)度。很明顯，這樣的晶體管能實(shí)現(xiàn)足夠小的尺寸。IBM計(jì)劃在2020年之前為碳納米管技術(shù)做好準(zhǔn)備，而這一突破是其中的重要一步。

　　不過哈恩什承認(rèn)，碳納米管商用還存在其他技術(shù)難題，而此項(xiàng)工作僅僅解決了商用碳納米管面臨的三大挑戰(zhàn)之一。另一個(gè)挑戰(zhàn)在于，納米管有兩種形式：金屬和半導(dǎo)體。只有半導(dǎo)體形式的納米管才能被用于晶體管。因此，工程師需要更好地分離金屬納米管和半導(dǎo)體納米管。還有一大挑戰(zhàn)在于開發(fā)可靠的非光刻工藝，使數(shù)十億個(gè)納米管準(zhǔn)確排布在芯片上。