無(wú)錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等
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產(chǎn)品品牌瞻芯電子
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更新日期2024-08-23 18:03
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品牌： |
瞻芯電子 |
所在地： |
江蘇 無(wú)錫市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
9999 只 |
有效期至： |
長(zhǎng)期有效 |
VDS： |
1200V |
Ron： |
17mΩ |
品牌： |
瞻芯電子 |
|
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 特性 ·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門(mén)驅(qū)動(dòng) ·高阻塞電壓與低電阻 ·高速開(kāi)關(guān)與低電容 ·高操作結(jié)溫度能力 ·非常快速和健壯的內(nèi)在身體二極管 ·開(kāi)爾文門(mén)輸入緩解驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)應(yīng)用 應(yīng)用 ·電動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng) ·太陽(yáng)能逆變器 ·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器 ·開(kāi)關(guān)模式電源 |
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