Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:
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基板尺寸 |
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< Ф8 X 1wfr |
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樣品臺 |
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直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
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離子源 |
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16cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
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±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕率 |
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20 nm/min |
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溫度 |
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<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術參數：
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離子源型號 |
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離子源 KDC 160 |
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Discharge |
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DC 熱離子 |
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離子束流 |
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>650 mA |
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離子動能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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16 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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2-30 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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中和器 |
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燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
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上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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