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西安某大學實驗室在納米純 Ti 薄膜的研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積納米純 Ti 薄膜, 制備出的純Ti薄膜可集膜層致密光滑、沉積速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等優(yōu)點.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數(shù):
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離子源型號 |
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RFICP220 |
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Discharge |
portant;">
RFICP 射頻 |
| portant;">
離子束流 |
portant;">
>800 mA |
| portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
| portant;">
柵極直徑 |
portant;">
20 cm Φ |
| portant;">
離子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
| portant;">
流量 |
portant;">
10-40 sccm |
| portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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長度 |
portant;">
30 cm |
| portant;">
直徑 |
portant;">
41 cm |
| portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
該濺射沉積是在真空度為 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入氣流量為 70ml/min 的氬氣, 利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 產(chǎn)生的氬離子轟擊靶材, 濺射沉積 Ti 膜層, 鍍膜持續(xù)時間30～90min; 完成鍍膜的樣品待冷卻后, 取出.
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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