IBAD, 也叫離子束輔助沉積(lon Beam Assisted Depositon 或Ion Beam Enhanced Deposition, 是把離子束注入與氣相沉積鍍膜技術(shù)相結(jié)合的復(fù)合表面離子處理技術(shù), 也是離子束表面處理優(yōu)化的新技術(shù).

這種復(fù)合沉積技術(shù)是在離子注入材料表面改性過(guò)程中, 使膜與基體在界面上由注入離子引發(fā)的級(jí)聯(lián)碰撞造成混合, 產(chǎn)生過(guò)渡層而牢固結(jié)合. 因此在沉積薄膜的同時(shí), 進(jìn)行離子束轟擊便應(yīng)運(yùn)而生. 因此它是離子束改性技術(shù)的重要發(fā)展, 也是離子注入與鍍膜技術(shù)相結(jié)合的表面復(fù)合離子處理新技術(shù). 在材料的腐蝕防護(hù)/ 裝飾等方面獲得工業(yè)應(yīng)用.

伯東美國(guó) KRI考夫曼離子源可以輔助可以有效鍍膜 IBAD用于預(yù)清潔 PC, 可以有效防止出現(xiàn)膜層不均勻, 從而防止產(chǎn)品膜層脫落的現(xiàn)象, 因此美國(guó) KRI 考夫曼霍爾型離子源廣泛加裝在各類蒸發(fā)鍍膜機(jī)中.

離子源輔助鍍膜客戶案例一: 廈門某光學(xué)鍍膜企業(yè), 該企業(yè)使用日本 Shincron 真空鍍膜機(jī), 鍍膜腔體約 2 m³, 鍍膜機(jī)加裝 KRI 霍爾離子源 EH 4200 起到預(yù)清潔 PC及輔助鍍膜 IBAD 的作用.

離子源輔助鍍膜具體操作, 霍爾離子源預(yù)清潔 PC +輔助鍍膜 IBAD: 由于膜層表面很光滑,在鍍膜時(shí)會(huì)產(chǎn)生膜層脫落現(xiàn)象, 預(yù)清潔就是將膜層表面用大的離子如 Ar 打擊表面, 使得制程物能有效的吸附在表面上. 加裝KRI霍爾離子源起到預(yù)清潔作用, 在預(yù)清潔后開啟離子源輔助鍍膜 IBAD, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.

工作示意圖如下, KRI離子源覆蓋面


使用專業(yè)測(cè)膜記號(hào)筆, 可以明顯看出加裝 KRI 離子源前后有很大的不同

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列主要應(yīng)用

1.輔助鍍膜 IBAD

2.濺鍍&蒸鍍 PC

3.表面改性/ 激活 SM

4.沉積 (DD)

5.離子蝕刻 LIBE

6.光學(xué)鍍膜

7.Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)

8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如

1. 離子輔助鍍膜及電子*****蒸鍍

2. 線上式磁控濺射及蒸鍍?cè)O(shè)備預(yù)清洗

3. 表面處理

4. 表面硬化層鍍膜

5. 磁控濺射輔助鍍膜

7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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